実績・知財
当研究所の特許・登録状況と、第三者機関による分析結果をまとめています。確認済みの情報のみを掲載し、登録・出願・査定済みを正確に区別して記載しています。
特許と第三者分析で裏付けられた技術基盤
CO2処理剤技術は日本・シンガポール・中国で特許登録済み、米国は特許査定済み（登録手続中）。PFAS処理剤は日本で出願中。試験データはISO/IEC 17025認定の第三者機関で確認しています。
知的財産・特許
CO2処理技術は日本・シンガポール・中国・米国で特許登録済みという国際的に認められた技術基盤の上に、PFAS処理剤や電子放出材料・電池といった新技術を自ら特許出願し続けている研究開発力が、当法人の強みです。
二酸化炭素処理剤およびその製造方法
CARBON DIOXIDE PROCESSING AGENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
同一発明を日本・シンガポール・中国・米国で保護
特許第7729539号
2025年8月18日 登録
特許出願 11202308405T
2026年4月13日 登録
ZL202280033351.5 / CN117279861B
2026年6月30日 登録
発明者：五島義高、青木英樹、杉山善信、小島正弘
※ 青木英樹は当研究所役員
PFAS処理剤
新規出願
特願 2025-281340
出願日 2025年12月25日
出願人：一般財団法人 環境e技術開発研究所
炭酸ナトリウム・クエン酸・遠赤外線鉱石・ゼオライト・酸化チタン
発明者：五島義高、青木英樹、久保広幸
※ 久保広幸は当研究所代表理事
電子放出材料および電池
新規出願（レアメタル不使用の新技術）
特願 2025-155721
出願日 2025年9月19日
出願人：一般財団法人 環境e技術開発研究所
酸化マグネシウム・酸素欠陥マグネタイト・ゼオライトを含有し、レアメタルを使用しない電子放出材料および電池
発明者：久保広幸、青木英樹、杉山善信
※ 久保広幸は当研究所代表理事、青木英樹は当研究所役員
国際的な特許展開
Map base: F. Lekschas — CC BY-SA 3.0
- 米国—登録済み
- 中国—登録済み
- 日本—登録済み
- シンガポール—登録済み
二酸化炭素処理剤技術は日本・シンガポール・中国・米国で特許登録済み。
第三者機関による分析結果
試料条件：500ng/L標準液に添加剤を加え、72時間・168時間・336時間静置後にろ過して分析（直鎖および分岐鎖の値）。分析機関は環境計量証明事業所・ISO/IEC 17025認定試験所。測定方法：LC-MS/MS。単位：ng/L、定量下限値 5ng/L。
| 物質 | 添加前（初期） | 72時間後 | 168時間後 | 336時間後 |
|---|---|---|---|---|
PFOS C8・直鎖および分岐鎖 | 760 | 11 低減率 98.6% | 46 低減率 93.9% | 12 低減率 98.4% |
PFOA C8・直鎖および分岐鎖 | 570 | 210 低減率 63.2% | 340 低減率 40.4% | 340 低減率 40.4% |
PFHxS C6・直鎖および分岐鎖 | 760 | 210 低減率 72.4% | 430 低減率 43.4% | 380 低減率 50.0% |
※ 単位：ng/L。数値は濃度（低減率は添加前からの低下率）。自社試験ではなく第三者認定機関のデータです。
特にPFOSについては最大98.6%の低減率を確認しました。第三者認定機関による分析で技術の信頼性を裏付けています。
PFOA・PFHxSについては、添加剤の濃度や静置時間の条件により40〜70%程度の低減効果が確認されており、条件最適化を進めながら更なる性能向上を目指します。